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清洗机CS

清洗机CS

概要

该设备通过二流体水气混合的冲洗,将切割后的晶圆上的硅渣清洗干净,适用于半导体晶圆切割工序后,Wafer/QFN 的产品清洗。


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概要

该设备通过二流体水气混合的冲洗,将切割后的晶圆上的硅渣清洗干净,适用于半导体晶圆切割工序后,Wafer/QFN 的产品清洗。


技术规格

清洗功能:二流体清洗方式

清洗顺序:a.二流体清洗;b.甩干带氮气(可根据工艺用压缩空气代替)吹;

通过更换台盘能适应标准8"框架(Frame

控制系统采用PLC、触摸屏

设备真空度 >-80KPA

干燥方式:高速离心脱水

• DI水压力: ≥ 0.2Mpa

设备材料:整机镜面不锈钢

设备技术指标

• 1.利用自动离心锁紧的爪子锁紧圆片环,避免清洗时出现甩片现象。

• 2.清洗后的产品,能够去除圆片切割后表面的沾污。

• 3.在清洗过程中不会损伤芯片表面的性能。

• 4.清洗时间和吹气时间可调,并有密码保护。

• 5.清洗可选择5“6”8“(或根据客户要求),来调节摆臂的清洗范围。

• 6.摆臂运转平稳,无抖动和爬行现象。

• 7.气体压力和出水压力调节及显示功能:

• (1).压缩空气进气表:显示压缩空气进气的当前压力值

• (2).清洗氮气压力表:显示清洗时喷头喷出氮气的当前压力值

• (3).真空显示表: 显示当前的真空值.

• (4).甩干氮气压力表:显示甩干时喷头喷出氮气的当前压力值 (5.甩干氮气压力调节阀:调节甩干时喷头喷出氮气的压力

• (6).清洗氮气压力调节阀:调节清洗时喷头喷出氮气的压力

• (7).流量计调节水流量(0~500ml/min)来控制出水流量

• 8.抽风口 φ75mm

• 9.进水和进气管 φ 10mm

• 10.排水管 φ31mm

• 11.排水管离地面高度 1000px

型号

CS-100

CS-200

框架尺寸

8英寸(可定制)

12英寸

晶圆规格

兼容4/5/6/8英寸

12英寸

机台转速

100r/min-2800r/min

清洗时间

可以设定

甩干时间

可以设定

外形尺寸

450x650x1350高(mm

650x750x1400高(mm

重量

75KG

95KG

压缩空气

0.5MPa清洁干燥压缩空气

电源

AC220V;50/60 Hz; 5A; 功率小于600W



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